近日，一個由美國紐約城市大學Riedo教授領導國際研究小組，在制造納米芯片方面取得了突破性進展，可能對納米芯片的生產和技術產生深遠影響。研究稱新型的熱掃描探針光刻技術（t-SPL）比傳統電子束光刻技術（EBL）相比具有明顯的優勢。相關成果發表在最新一期的《Nature Electronics》。

論文鏈接：

https://www.nature.com/articles/s41928-018-0191-0

更小、更快的半導體二維材料是科學家一直追求的目標。該研究稱，基于二維半導體材料二硫化鉬的金屬電極制造技術，采用100℃探針光刻技術效果優于標準的制造技術。這種過渡金屬可能會取代硅，成為原子級芯片的材料之一。

與傳統光刻技術相比，該熱光刻技術顯著的提升了二維晶體管的質量，芯片設計人員能夠對二維半導體材料成像，并對電極進行圖像化處理。此外，熱光刻技術可以節省大量成本，降低功耗，并不需要采用高能電子和超高真空。

據美國紐約城市大學報道，Riedo希望熱光刻技術能將大部分制造技術從潔凈室轉移到實驗室，這便于快速的推進材料科學和芯片設計的發展。當熱光刻技術的分辨率達到10nm，可使用120伏的標準電源，熱光刻技術就會像3D打印技術一樣出現在實驗室。（未經允許謝絕轉載）